本文首先描述了n型（硅）掺杂对生长在砷化镓衬底上的高密度砷化铟量子点的影响。之后采取最合适的掺杂方法对砷化铟量子点激光器进行n型和p型掺杂，比较了n型，p型和本征砷化铟量子点激光器的各个性能。研究表明n型掺杂能有效的减少激光器的阈值电流密度，并且还会压缩激光的近场分布光斑大小，但是当激光器的光学谐振腔减小时，会更容易从基态发光变为激发态发光。而p型掺杂的激光器有更好的高温表现，但是会增加激光器的阈值电流。

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