2020年5月，王韵染在期刊《Applied Physics Letters》上发表了题为 “Formation of laterally ordered quantum dot molecules by in situ nanosecond laser interference”的研究论文。
研究表明，运用原位激光干涉与分子束外延生长技术在GaAs (100)衬底上制备横向有序InAs量子点分子阵列。通过增加InAs覆盖度从1.55 ML到1.75 ML，可生长出单量子点，双量子点分子，以及六方量子点分子有序均匀阵列。
