金潮渊

个人简介：

金潮渊，浙江大学”百人计划”研究员、博士生导师、国家青年人才项目入选者、国家重点研发计划项目首席科学家。主要研究基于半导体量子点材料的集成光电芯片和光量子芯片，包括高速激光器、单光子源、全光调制器、微波光子器件等。他在国内外学术期刊上发表研究论文70余篇，以第一作者/通讯作者身份发表Nature Nanotechnology, APL, IEEE, OE, OL, PRB等一流学术期刊论文。半导体中自发发射过程的超快控制入选美国光学学会年度进展并登上专题封面（2014）。曾获得日本学术振兴会研究员（2008）、日本学术振兴会桥梁学者（2017）、英国谢菲尔德大学校长研究员（长聘讲师，2015）、浙江省特聘专家（2018）等荣誉称号。现担任浙江大学竺可桢学院专业导师和“新时代人才培养战略伙伴中学”主讲专家。

近年来，作为项目首席科学家主持国家重点研发计划项目“面向规模集成的高效硅基光波导放大器和激光器”，发展硅基有源器件的芯片集成技术；主持国家自然科学基金面上项目2项，发展基于光子晶体微腔的激光器技术；作为项目骨干成员深度参加欧盟Horizon 2020 FET项目和英国EPSRC标准项目各1项，通过国际合作推动基于激光干涉分子束外延的量子点阵列外延技术。与国内多家企业开展产学研合作，有力地促进了国内光电子核心芯片制造的关键技术水平，荣获中国产学研合作创新奖（2022）。

个人履历：

时间学校职位主要研究方向
1996 – 2000南京大学物理学（微电子）本科
2000 – 2003中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学硕士半导体光放大器
2004 – 2008英国谢菲尔德大学电子与电气工程博士量子点激光器
2008 – 2010日本神户大学日本学术振兴会研究员垂直腔光开关/光调制器
2010 – 2013荷兰埃因霍温理工大学博士后微腔单光子源
2013 – 2015荷兰EFFECT Photonics公司资深科学家100/400G光子集成芯片
2015中国科学院半导体研究所研究员微腔激光器
2015 – 2017英国谢菲尔德大学校长研究员超快光子学
2017 至今浙江大学百人计划研究员超快光子学

浙大主页：https://person.zju.edu.cn/uphotonics

论文会议报告专著
2013
Coupling of InAs quantum dots to the plasmon resonance of In nanoparticles by metal-organic vapour phase epitaxy

J. Yuan, C.Y. Jin, M. Skacel, A. Urbańczyk, T. Xia, P.J. van Veldhoven, R. Nötzel
Appl. Phys. Lett. vol. 102, pp. 191111(1-4), 2013.
as the correspondence author

2012
All-optical control of the spontaneous emission of quantum dots using coupled-cavity quantum electrodynamics

C.Y. Jin, M.Y. Swinkels, R. Johne, T.B. Hoang, L. Midolo, P.J. van Veldhoven, A. Fiore
Preprint at: http://arxiv.org/abs/1207.5311, 2012.

2011
Controlling polarization anisotropy of site-controlled InAs/InP (100) quantum dots

J. Yuan, H. Wang, P.J. van Veldhoven, J. Wang, T. de Vries, B. Smalbrugge, C.Y. Jin, P. Nouwens, E.J. Geluk, A.Yu. Silov, R. Nötzel
Appl. Phys. Lett. vol. 98, pp. 201904(1-3), 2011.

Observation of phase shifts in vertical cavity quantum dot switches

C.Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson
Appl. Phys. Lett. vol. 98, pp. 231101(1-3), 2011.
Highlighted by Phys.org

2010
Temperature-dependent carrier tunnelling for self-assembled InAs/GaAs quantum dots with a GaAsN quantum well injector

C.Y. Jin, S. Ohta, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
Appl. Phys. Lett. vol. 96, pp.151104(1-3), 2010.

Detailed design and characterization of all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a vertical cavity

C.Y. Jin, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
IEEE J. Quantum Electron. vol. 46, pp. 1582-1589, 2010.

All-optical switch using InAs quantum dots in a vertical cavity

C.Y. Jin, O. Kojima, T. Inoue, S. Ohta, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
Conference Proceeding of the 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 249-252, 2010.

Self-assembled InAs quantum dots within a vertical cavity structure for all-optical switching devices

C.Y. Jin, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
Proceedings of SPIE, vol. 7610, p. 76100Q, 2010.

2009
Vertical-geometry all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a cavity

C.Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
Appl. Phys. Lett. vol. 95, pp. 021109(1-3), 2009.

2008
Simple theoretical model for the temperature stability of InAs/GaAs self-assembled quantum dot lasers with different p-type modulation doping levels

C.Y. Jin, H.Y. Liu, Q. Jiang, M. Hopkinson, O. Wada
Appl. Phys. Lett. vol. 93, pp. 161103(1-3), 2008.

Low-threshold 1.3 μm GaInNAs quantum well lasers using quaternary barriers

C.Y. Jin, H.Y. Liu, S.Y. Zhang, M. Hopkinson
IEEE Photon. Technol. Lett. vol. 20, pp. 942-944, 2008.

1.55 μm InAs quantum dots grown on a GaAs substrate using a GaAsSb metamorphic buffer layer

H.Y. Liu, Y. Qiu, C.Y. Jin, T. Walther, A.G. Cullis
Appl. Phys. Lett. vol. 92, pp. 111906(1-3), 2008.

Comparing InGaAs and GaAsSb metamorphic buffer layers on GaAs substrates for InAs quantum dots emitting at 1.55 μm

Y. Qiu, T. Walther, H.Y. Liu, C.Y. Jin, M. Hopkinson, A.G. Cullis
Microscopy Semi. Mat. vol. 120, pp. 263-268, 2007.

Effect of facet angle on effective facet reflectivity and operating characteristics of quantum dot edge emitting lasers and superluminescent light-emitting diodes

Z.Y. Zhang, I.J. Luxmoore, C.Y. Jin, H.Y. Liu, Q. Jiang, K.M. Groom, D.T. Childs, M. Hopkinson, A.G. Cullis, R.A. Hogg
Appl. Phys. Lett. vol. 91, pp. 081112(1-3), 2007.

2007
Effects of photon and thermal coupling mechanisms on the characteristics of self-assembled InAs/GaAs quantum dot lasers

C.Y. Jin, H.Y. Liu, K.M. Groom, Q. Jiang, M. Hopkinson, T.J. Badcock, R.J. Royce, D.J. Mowbray
Phys. Rev. B vol. 76, pp. 085315(1-12), 2007.